发明申请
US20100140663A1 CMOS Compatable fabrication of power GaN transistors on a <100> silicon substrate
有权
CMOS在<100>硅衬底上的功率GaN晶体管的可组合制造
- 专利标题： CMOS Compatable fabrication of power GaN transistors on a <100> silicon substrate
- 专利标题（中）： CMOS在<100>硅衬底上的功率GaN晶体管的可组合制造
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申请号： US12315931申请日： 2008-12-08
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公开(公告)号： US20100140663A1公开(公告)日： 2010-06-10
- 发明人: Peter J. Hopper , William French
- 申请人： Peter J. Hopper , William French
- 专利权人： National Semiconductor
- 当前专利权人： National Semiconductor
- 主分类号： H01L29/778
- IPC分类号： H01L29/778 ; H01L21/335
摘要：
In an AlGaN channel transistor formed on a orientation silicon wafer, a hole with walls slanted at 54 degrees is etched into the silicon to provide a orientation substrate surface for forming the AlGaN channel transistor.
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