发明申请
- 专利标题： EFUSE WITH PARTIAL SIGE LAYER AND DESIGN STRUCTURE THEREFOR
- 专利标题（中）： 具有部分信号层及其设计结构
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申请号： US12354996申请日： 2009-01-16
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公开(公告)号： US20100181643A1公开(公告)日： 2010-07-22
- 发明人: Chandrasekharan Kothandaraman , Deok-kee Kim , Dureseti Chidambarrao , William K. Henson
- 申请人： Chandrasekharan Kothandaraman , Deok-kee Kim , Dureseti Chidambarrao , William K. Henson
- 申请人地址： US NY Armonk
- 专利权人： INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION
- 当前专利权人： INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION
- 当前专利权人地址： US NY Armonk
- 主分类号： H01L23/525
- IPC分类号： H01L23/525
摘要：
A fuse includes a fuse link region, a first region and a second region. The fuse link region electrically connects the first region to the second region. A SiGe layer is disposed only in the fuse link region and the first region.
公开/授权文献
- US07960809B2 eFuse with partial SiGe layer and design structure therefor 公开/授权日：2011-06-14
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IPC分类:
