发明申请
- 专利标题： LARGE-GRAIN CRYSTALLINE THIN-FILM STRUCTURES AND DEVICES AND METHODS FOR FORMING THE SAME
- 专利标题（中）： 大晶粒薄膜薄膜结构及其形成方法及其形成方法
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申请号： US12695408申请日： 2010-01-28
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公开(公告)号： US20100193795A1公开(公告)日： 2010-08-05
- 发明人: Leslie G. Fritzemeier , Christopher J. Vineis
- 申请人： Leslie G. Fritzemeier , Christopher J. Vineis
- 主分类号： H01L29/04
- IPC分类号： H01L29/04 ; H01L21/20
摘要：
Methods for forming semiconductor devices include providing a crystalline template having an initial grain size, annealing the crystalline template, the annealed template having a final grain size larger than the initial grain size, forming a buffer layer over the annealed template, and forming a semiconductor layer over the buffer layer.
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