Method for Preparing Doped Organic Semiconductor Materials and Formulation Utilized Therein

发明申请

US20100233844A1 Method for Preparing Doped Organic Semiconductor Materials and Formulation Utilized Therein 有权

标题翻译：掺杂有机半导体材料的制备方法及其制备方法

专利标题： Method for Preparing Doped Organic Semiconductor Materials and Formulation Utilized Therein
专利标题（中）： 掺杂有机半导体材料的制备方法及其制备方法
申请号： US12293765

申请日： 2007-03-21
公开(公告)号： US20100233844A1

公开(公告)日： 2010-09-16
发明人: Olaf Zeika , Andrea Lux , Andre Grussing , Michael Limmert , Horst Hartmann , Ansgar Werner , Martin Ammann
申请人： Olaf Zeika , Andrea Lux , Andre Grussing , Michael Limmert , Horst Hartmann , Ansgar Werner , Martin Ammann
申请人地址： DE Dresden
专利权人： Novaled AG
当前专利权人： Novaled AG
当前专利权人地址： DE Dresden
优先权： EP06005687.6 20060321; EP06005834.4 20060322
国际申请： PCT/EP2007/002510 WO 20070321
主分类号： H01L51/40
IPC分类号： H01L51/40 ; H01B1/00

摘要：

The present invention relates to a method for preparing doped organic semiconductor materials

摘要（中）：

本发明涉及一种制备掺杂有机半导体材料的方法

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L51/00	使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备（由在一个公共衬底中或其上形成的多个组件组成的器件入H01L27/28;使用有机材料的热电器件入H01L35/00,H01L37/00；使用有机材料的压电、电致伸缩或磁致伸缩元件入H01L41/00）
H01L51/05	.专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51/40	..专门用于制造或处理这种器件或其部件的方法和设备