发明申请
- 专利标题： PROCESS FOR MANUFACTURING A WAFER BY ANNEALING OF BURIED CHANNELS
- 专利标题（中）： 通过减少通道进行制造的方法
-
申请号： US12791553申请日： 2010-06-01
-
公开(公告)号： US20100237459A1公开(公告)日： 2010-09-23
- 发明人: Flavio VILLA , Gabriele Barlocchi , Pietro Corona
- 申请人： Flavio VILLA , Gabriele Barlocchi , Pietro Corona
- 申请人地址： IT Agrate Brianza (MI)
- 专利权人： STMICROELECTRONICS S.R.L.
- 当前专利权人： STMICROELECTRONICS S.R.L.
- 当前专利权人地址： IT Agrate Brianza (MI)
- 优先权： EP01830820.5 20011228
- 主分类号： H01L29/06
- IPC分类号： H01L29/06 ; H01L21/764
摘要：
A process for manufacturing an SOI wafer, including the steps of: forming, in a wafer of semiconductor material, cavities delimiting structures of semiconductor material; thinning out the structures through a thermal process; and completely oxidizing the structures.
公开/授权文献
信息查询
IPC分类:
