SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

发明申请

US20100244041A1 SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF 有权

标题翻译：半导体器件及其制造方法

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专利标题： SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
专利标题（中）： 半导体器件及其制造方法
申请号： US12574995

申请日： 2009-10-07
公开(公告)号： US20100244041A1

公开(公告)日： 2010-09-30
发明人: Toshiyuki OISHI , Yoshitsugu Yamamoto , Hiroshi Otsuka , Koji Yamanaka , Akira Inoue
申请人： Toshiyuki OISHI , Yoshitsugu Yamamoto , Hiroshi Otsuka , Koji Yamanaka , Akira Inoue
申请人地址： JP Chiyoda-ku
专利权人： MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION
当前专利权人： MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION
当前专利权人地址： JP Chiyoda-ku
优先权： JP2009-082480 20090330
主分类号： H01L29/778
IPC分类号： H01L29/778 ; H01L29/205 ; H01L21/225

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

摘要：

An isolation layer for suppressing a leakage current is provided at least between a channel layer and a buffer layer formed under the channel layer in the buffer layer.

摘要（中）：

至少在沟道层和形成在缓冲层中的沟道层下方的缓冲层之间提供用于抑制泄漏电流的隔离层。

公开/授权文献

US08247844B2 Semiconductor device and manufacturing method thereof 公开/授权日：2012-08-21

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L29/00	专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L31/00至H01L47/00，H01L51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L27/00）
H01L29/66	.按半导体器件的类型区分的
H01L29/68	..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的（H01L29/96优先）
H01L29/76	...单极器件
H01L29/772	....场效应晶体管
H01L29/778	.....带有二维载流子气沟道的，如HEMT