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发明申请
US20100270559A1 FIELD EFFECT TRANSISTOR AND PROCESS FOR MANUFACTURING SAME 有权
场效应晶体管及其制造方法

  • 专利标题： FIELD EFFECT TRANSISTOR AND PROCESS FOR MANUFACTURING SAME
  • 专利标题（中）： 场效应晶体管及其制造方法
  • 申请号： US12742587
    申请日： 2008-11-17
  • 公开(公告)号： US20100270559A1
    公开(公告)日： 2010-10-28
  • 发明人: Kazuki Ota
  • 申请人： Kazuki Ota
  • 申请人地址： JP Tokyo
  • 专利权人： NEC CORPORATION
  • 当前专利权人： NEC CORPORATION
  • 当前专利权人地址： JP Tokyo
  • 优先权： JP2007-299383 20071119
  • 国际申请： PCT/JP2008/003339 WO 20081117
  • 主分类号： H01L29/80
  • IPC分类号： H01L29/80 ;  H01L21/337 ;  H01L29/205
FIELD EFFECT TRANSISTOR AND PROCESS FOR MANUFACTURING SAME
摘要：
A field effect transistor includes: a channel layer 103 containing GaN or InGaN; a first electron-supplying layer 104 disposed over the channel layer 103 and containing InxAlyGa1-x-yN (0≦x
摘要（中）：

场效应晶体管包括：包含GaN或InGaN的沟道层103; 第一电子供应层104设置在沟道层103上并且包含In x Al y Ga 1-x-y N（0＆nl E; x <1,0

公开/授权文献
信息查询
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IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L29/00 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L31/00至H01L47/00，H01L51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L27/00）
H01L29/66 .按半导体器件的类型区分的
H01L29/68 ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的（H01L29/96优先）
H01L29/76 ...单极器件
H01L29/772 ....场效应晶体管
H01L29/80 .....由PN结或其他整流结栅产生场效应的
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