发明申请
- 专利标题： OXIDE SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSISTOR AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
- 专利标题（中）： 氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法
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申请号： US12810189申请日： 2008-12-19
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公开(公告)号： US20100276688A1公开(公告)日： 2010-11-04
- 发明人: Koki Yano , Hirokazu Kawashima , Kazuyoshi Inoue , Shigekazu Tomai , Masashi Kasami
- 申请人： Koki Yano , Hirokazu Kawashima , Kazuyoshi Inoue , Shigekazu Tomai , Masashi Kasami
- 申请人地址： JP Tokyo
- 专利权人： Idemitsu Kosan Co., Ltd.
- 当前专利权人： Idemitsu Kosan Co., Ltd.
- 当前专利权人地址： JP Tokyo
- 优先权： JP2007-332508 20071225; JP2007-338918 20071228
- 国际申请： PCT/JP2008/073252 WO 20081219
- 主分类号： H01L29/786
- IPC分类号： H01L29/786 ; H01L21/36 ; H01L29/12 ; H01L21/20
摘要：
A field effect transistor including a semiconductor layer including a composite oxide which contains In, Zn, and one or more elements X selected from the group consisting of Zr, Hf, Ge, Si, Ti, Mn, W, Mo, V, Cu, Ni, Co, Fe, Cr, Nb, Al, B, Sc, Y and lanthanoids in the following atomic ratios (1) to (3): In/(In+Zn)=0.2 to 0.8 (1) In/(In+X)=0.29 to 0.99 (2) Zn/(X+Zn)=0.29 to 0.99 (3).
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