发明申请
US20100288355A1 SILICON NITRIDE DIFFUSION BARRIER LAYER FOR CADMIUM STANNATE TCO
审中-公开
硅酸盐扩散阻挡层用于CADMIUM STANNATE TCO
- 专利标题： SILICON NITRIDE DIFFUSION BARRIER LAYER FOR CADMIUM STANNATE TCO
- 专利标题（中）： 硅酸盐扩散阻挡层用于CADMIUM STANNATE TCO
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申请号： US12782546申请日： 2010-05-18
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公开(公告)号： US20100288355A1公开(公告)日： 2010-11-18
- 发明人: Scott Mills , Dale Roberts , Zhibo Zhao , Yu Yang
- 申请人： Scott Mills , Dale Roberts , Zhibo Zhao , Yu Yang
- 申请人地址： US OH Perrysburg
- 专利权人： First Solar, Inc.
- 当前专利权人： First Solar, Inc.
- 当前专利权人地址： US OH Perrysburg
- 主分类号： H01L31/0224
- IPC分类号： H01L31/0224 ; H01L29/43 ; H01L31/18 ; H01L21/283
摘要：
A photovoltaic device can include a transparent conductive oxide layer adjacent to a substrate and a barrier layer, which can include a silicon-containing material.
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