利索-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册
发明申请
US20100308298A1 NONVOLATILE MEMORY ELEMENT AND NONVOLATILE MEMORY DEVICE INCORPORATING NONVOLATILE MEMORY ELEMENT 有权
非易失性存储器元件和非易失性存储器件，并入非易失性存储元件

NONVOLATILE MEMORY ELEMENT AND NONVOLATILE MEMORY DEVICE INCORPORATING NONVOLATILE MEMORY ELEMENT
摘要：
A nonvolatile memory element includes a first electrode (103) formed on a substrate (101), a resistance variable layer (108) and a second electrode (107), wherein the resistance variable layer has a multi-layer structure including at least three layers which are a first transition metal oxide layer (104), a second transition metal oxide layer (106) which is higher in oxygen concentration than the first transition metal oxide layer (104), and a transition metal oxynitride layer (105). The second transition metal oxide layer (106) is in contact with either one of the first electrode (103) and the second electrode (107). The transition metal oxynitride layer (105) is provided between the first transition metal oxide layer (104) and the second transition metal oxide layer (106).
摘要（中）：

非易失性存储元件包括形成在基板（101）上的第一电极（103），电阻变化层（108）和第二电极（107），其中电阻变化层具有至少三层的多层结构 其是第一过渡金属氧化物层（104），氧浓度高于第一过渡金属氧化物层（104）的第二过渡金属氧化物层（106）和过渡金属氮氧化物层（105）。 第二过渡金属氧化物层（106）与第一电极（103）和第二电极（107）中的任一个接触。 过渡金属氧氮化物层（105）设置在第一过渡金属氧化物层（104）和第二过渡金属氧化物层（106）之间。

公开/授权文献
信息查询
Global Dossier Espacenet
0/0