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发明申请
US20100314617A1 VANADIUM DIOXIDE NANOWIRE, FABRICATION PROCESS THEREOF, AND NANOWIRE DEVICE USING VANADIUM DIOXIDE NANOWIRE 审中-公开
一氧化二氮纳米管，其制造方法和使用二氧化氮纳米管的纳米装置

  • 专利标题： VANADIUM DIOXIDE NANOWIRE, FABRICATION PROCESS THEREOF, AND NANOWIRE DEVICE USING VANADIUM DIOXIDE NANOWIRE
  • 专利标题（中）： 一氧化二氮纳米管，其制造方法和使用二氧化氮纳米管的纳米装置
  • 申请号： US12788522
    申请日： 2010-05-27
  • 公开(公告)号： US20100314617A1
    公开(公告)日： 2010-12-16
  • 发明人: Daisuke Ito
  • 申请人： Daisuke Ito
  • 申请人地址： JP Tokyo
  • 专利权人： SONY CORPORATION
  • 当前专利权人： SONY CORPORATION
  • 当前专利权人地址： JP Tokyo
  • 优先权： JP2009-143007 20090616
  • 主分类号： H01L29/24
  • IPC分类号： H01L29/24 ;  H01L21/36
VANADIUM DIOXIDE NANOWIRE, FABRICATION PROCESS THEREOF, AND NANOWIRE DEVICE USING VANADIUM DIOXIDE NANOWIRE
摘要：
A vanadium dioxide nanowire grown long and thin along a [110] direction is disclosed.
摘要（中）：

公开了沿[110]方向生长长而薄的二氧化钒纳米线。

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