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发明申请
US20110027995A1 CLEANING SOLUTION FOR SUBSTRATE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE 有权
用于半导体器件的衬底的清洁解决方案

  • 专利标题： CLEANING SOLUTION FOR SUBSTRATE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE
  • 专利标题（中）： 用于半导体器件的衬底的清洁解决方案
  • 申请号： US12936304
    申请日： 2009-05-18
  • 公开(公告)号： US20110027995A1
    公开(公告)日： 2011-02-03
  • 发明人: Youichi Ishibashi
  • 申请人： Youichi Ishibashi
  • 优先权： JP2008-137199 20080526
  • 国际申请： PCT/JP2009/059478 WO 20090518
  • 主分类号： H01L21/306
  • IPC分类号： H01L21/306 ;  C23G1/02
CLEANING SOLUTION FOR SUBSTRATE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE
摘要：
A cleaning solution of the present invention contains a sodium ion, a potassium ion, an iron ion, an ammonium salt of a sulfuric ester represented by General Formula (1), and water, and each content of the sodium ion, the potassium ion, and the iron ion is 1 ppb to 500 ppb. ROSO3—(X)+ (1) where R is an alkyl group with a carbon number of 8-22 or an alkenyl group with a carbon number of 8-22, and (X)+ is an ammonium ion.
摘要（中）：

本发明的清洗液含有钠离子，钾离子，铁离子，通式（1）表示的硫酸铵盐和水，钠离子，钾离子， 铁离子为1ppb至500ppb。 ROSO 3 - （X）+（1）其中R为碳数为8-22的烷基或碳数为8-22的烯基，（X）+为铵离子。

公开/授权文献
信息查询
Global Dossier Espacenet
IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04 ..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18 ...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30 ....用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L21/28）
H01L21/302 .....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/306 ......化学或电处理，例如电解腐蚀（形成绝缘层的入H01L21/31；绝缘层的后处理入H01L21/3105）
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