SINGLE-CRYSTAL SEMICONDUCTOR LAYER WITH HETEROATOMIC MACRO-NETWORK

发明申请

US20110108801A1 SINGLE-CRYSTAL SEMICONDUCTOR LAYER WITH HETEROATOMIC MACRO-NETWORK 有权

标题翻译：单晶半导体层与异质宏网络

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专利标题： SINGLE-CRYSTAL SEMICONDUCTOR LAYER WITH HETEROATOMIC MACRO-NETWORK
专利标题（中）： 单晶半导体层与异质宏网络
申请号： US13004384

申请日： 2011-01-11
公开(公告)号： US20110108801A1

公开(公告)日： 2011-05-12
发明人: Daniel Bensahel , Yves Campidelli , Olivier Kermarrec
申请人： Daniel Bensahel , Yves Campidelli , Olivier Kermarrec
申请人地址： FR Crolles FR Montrouge
专利权人： STMicroelectronics (Crolles 2) SAS,STMicroelectronics S.A.
当前专利权人： STMicroelectronics (Crolles 2) SAS,STMicroelectronics S.A.
当前专利权人地址： FR Crolles FR Montrouge
优先权： FR03/51073 20031216; FRPCT/FR2004/050713 20041216
主分类号： H01L29/12
IPC分类号： H01L29/12 ; B82Y99/00

SINGLE-CRYSTAL SEMICONDUCTOR LAYER WITH HETEROATOMIC MACRO-NETWORK

摘要：

A single-crystal layer of a first semiconductor material including single-crystal nanostructures of a second semiconductor material, the nanostructures being distributed in a regular crystallographic network with a centered tetragonal prism.

摘要（中）：

包括第二半导体材料的单晶纳米结构的第一半导体材料的单晶层，所述纳米结构分布在具有中心四棱柱的规则晶体网络中。

公开/授权文献

US08263965B2 Single-crystal semiconductor layer with heteroatomic macro-network 公开/授权日：2012-09-11

信息查询

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L29/00	专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L31/00至H01L47/00，H01L51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L27/00）
H01L29/02	.按其半导体本体的特征区分的
H01L29/12	..按其构成材料的特征区分的