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发明申请
US20110177696A1 SPUTTERING TARGET, METHOD FOR FORMING AMORPHOUS OXIDE THIN FILM USING THE SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING THIN FILM TRANSISTOR 有权
溅射目标，使用其形成非晶氧化物薄膜的方法以及制造薄膜晶体管的方法

  • 专利标题： SPUTTERING TARGET, METHOD FOR FORMING AMORPHOUS OXIDE THIN FILM USING THE SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING THIN FILM TRANSISTOR
  • 专利标题（中）： 溅射目标，使用其形成非晶氧化物薄膜的方法以及制造薄膜晶体管的方法
  • 申请号： US12993946
    申请日： 2009-05-22
  • 公开(公告)号： US20110177696A1
    公开(公告)日： 2011-07-21
  • 发明人: Koki Yano , Hirokazu Kawashima , Kazuyoshi Inoue
  • 申请人： Koki Yano , Hirokazu Kawashima , Kazuyoshi Inoue
  • 优先权： JP2008-134731 20080522
  • 国际申请： PCT/JP2009/059413 WO 20090522
  • 主分类号： H01L21/31
  • IPC分类号： H01L21/31 ;  C23C14/34 ;  C04B35/64
SPUTTERING TARGET, METHOD FOR FORMING AMORPHOUS OXIDE THIN FILM USING THE SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING THIN FILM TRANSISTOR
摘要：
Disclosed is a sputtering target having a good appearance, which is free from white spots on the surface. The sputtering target is characterized by being composed of an oxide sintered body containing two or more kinds of homologous crystal structures.
摘要（中）：

公开了具有良好外观的溅射靶，其表面上没有白点。 溅射靶的特征在于由含有两种以上同种晶体结构的氧化物烧结体构成。

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