NANOSTRUCTURE AND PHOTOVOLTAIC CELL IMPLEMENTING SAME

发明申请

US20110214709A1 NANOSTRUCTURE AND PHOTOVOLTAIC CELL IMPLEMENTING SAME 有权

标题翻译：纳米结构和光电池实现

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专利标题： NANOSTRUCTURE AND PHOTOVOLTAIC CELL IMPLEMENTING SAME
专利标题（中）： 纳米结构和光电池实现
申请号： US13039208

申请日： 2011-03-02
公开(公告)号： US20110214709A1

公开(公告)日： 2011-09-08
发明人: Vincent Evelsizer , Larry Bawden , John Fisher
申请人： Vincent Evelsizer , Larry Bawden , John Fisher
申请人地址： US CA Sacramento
专利权人： Q1 Nanosystems Corporation
当前专利权人： Q1 Nanosystems Corporation
当前专利权人地址： US CA Sacramento
主分类号： H01L31/05
IPC分类号： H01L31/05 ; H01L31/06 ; H01L31/18

NANOSTRUCTURE AND PHOTOVOLTAIC CELL IMPLEMENTING SAME

摘要：

Nanostructures and photovoltaic structures are disclosed. Methods for creating nanostructures are also presented.

摘要（中）：

公开了纳米结构和光伏结构。还提出了创建纳米结构的方法。

公开/授权文献

US09202954B2 Nanostructure and photovoltaic cell implementing same 公开/授权日：2015-12-01

信息查询

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L31/00	对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；其零部件（H01L51/42优先；由形成在一共用衬底内或其上的多个固态组件，而不是辐射敏感元件与一个或多个电光源的结合所组成的器件入H01L27/00）
H01L31/04	.用作光伏〔PV〕转换器件（制造中其测试入H01L21/66；制造之后其测试入H02S50/10）
H01L31/042	..单个光伏电池的光伏模块或者阵列（用于光伏模块的支撑结构入H02S20/00）
H01L31/05	...光伏模块中光伏电池之间的电互连装置，例如，光伏电池的串联连接（电极入H01L 31/0224；形成在共同衬底上的薄膜太阳能电池的电互连入H01L 31/046；用于模块中相邻薄膜太阳能电池的电互连的特殊结构入H01L 31/0465；专门适用于电连接两个或多个光伏模块的电互连装置入H02S 40/36）