发明申请
- 专利标题： FLASH MEMORY HAVING MULTI-LEVEL ARCHITECTURE
- 专利标题（中）： 具有多层建筑的闪存
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申请号： US12764060申请日： 2010-04-20
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公开(公告)号： US20110255334A1公开(公告)日： 2011-10-20
- 发明人: Alessandro Grossi , Giulio Albini , Anna Maria Conti
- 申请人： Alessandro Grossi , Giulio Albini , Anna Maria Conti
- 主分类号： G11C16/04
- IPC分类号： G11C16/04 ; H01L29/792 ; H01L21/336
摘要：
Subject matter disclosed herein relates to a multi-level flash memory and a process flow to form same.
公开/授权文献
- US08355281B2 Flash memory having multi-level architecture 公开/授权日：2013-01-15
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