发明申请
- 专利标题： TMR device with novel pinned layer
- 专利标题（中）： TMR器件具有新颖的钉扎层
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申请号： US12803545申请日： 2010-06-29
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公开(公告)号： US20110318608A1公开(公告)日： 2011-12-29
- 发明人: Hui-Chuan Wang , Kunliang Zhang , Tong Zhao , Min Li
- 申请人： Hui-Chuan Wang , Kunliang Zhang , Tong Zhao , Min Li
- 专利权人： Headway Technologies, Inc.
- 当前专利权人： Headway Technologies, Inc.
- 主分类号： G11B5/39
- IPC分类号： G11B5/39 ; B05D5/00
摘要：
The invention discloses how the insertion of a layer of CoFeB serves to increase the robustness of an MTF device by smoothing the interface between the tunnel barrier and the pinned layer.
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