METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE AND PLASMA DOPING APPARATUS

发明申请

US20120034750A1 METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE AND PLASMA DOPING APPARATUS 有权

标题翻译：制造半导体器件和等离子体放电设备的方法

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专利标题： METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE AND PLASMA DOPING APPARATUS
专利标题（中）： 制造半导体器件和等离子体放电设备的方法
申请号： US13264660

申请日： 2010-10-28
公开(公告)号： US20120034750A1

公开(公告)日： 2012-02-09
发明人: Yuichiro Sasaki , Masafumi Kubota , Shigenori Hayashi
申请人： Yuichiro Sasaki , Masafumi Kubota , Shigenori Hayashi
优先权： JP2009-297063 20091228
国际申请： PCT/JP2010/006379 WO 20101028
主分类号： H01L21/336
IPC分类号： H01L21/336 ; C23C16/50 ; C23C16/455

METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE AND PLASMA DOPING APPARATUS

摘要：

After a fin-semiconductor region (13) is formed on a substrate (11), impurity-containing gas and oxygen-containing gas are used to perform plasma doping on the fin-semiconductor region (13). This forms impurity-doped region (17) in at least side portions of the fin-semiconductor region (13).

摘要（中）：

在衬底（11）上形成鳍状半导体区域（13）之后，使用含杂质的气体和含氧气体在鳍状半导体区域（13）上进行等离子体掺杂。这在散热片半导体区域（13）的至少侧边部形成杂质掺杂区域（17）。

公开/授权文献

US08574972B2 Method for fabricating semiconductor device and plasma doping apparatus 公开/授权日：2013-11-05

信息查询

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04	..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18	...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/334	....制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335	.....场效应晶体管
H01L21/336	......带有绝缘栅的