发明申请
US20120117316A1 SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING STACKED ARRAY STRUCTURE, NAND FLASH MEMORY ARRAY USING THE SAME AND FABRICATION THEREOF
有权
具有堆叠阵列结构的半导体器件，使用其的NAND闪存存储器阵列及其制造方法
- 专利标题： SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING STACKED ARRAY STRUCTURE, NAND FLASH MEMORY ARRAY USING THE SAME AND FABRICATION THEREOF
- 专利标题（中）： 具有堆叠阵列结构的半导体器件，使用其的NAND闪存存储器阵列及其制造方法
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申请号： US13383097申请日： 2009-12-22
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公开(公告)号： US20120117316A1公开(公告)日： 2012-05-10
- 发明人: Byung Gook Park , Jang Gn Yun , Il Han Park
- 申请人： Byung Gook Park , Jang Gn Yun , Il Han Park
- 申请人地址： KR Seoul
- 专利权人： SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION
- 当前专利权人： SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION
- 当前专利权人地址： KR Seoul
- 优先权： KR10-2009-0062653 20090709
- 国际申请： PCT/KR2009/007663 WO 20091222
- 主分类号： G06F12/02
- IPC分类号： G06F12/02
摘要：
The present invention relates to a semiconductor device, a memory array and a fabrication method thereof, and more particularly to a semiconductor device having a stacked array structure (referred to as a STAR structure: a STacked ARray structure) applicable to not only a switch device but also a memory device, a NAND flash memory array using the same as a memory device and a fabrication method thereof.
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