发明申请
- 专利标题： MEMORY DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
- 专利标题（中）： 存储器件及其制造方法
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申请号： US13354380申请日： 2012-01-20
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公开(公告)号： US20120119179A1公开(公告)日： 2012-05-17
- 发明人: Shinichi Nakao , Kei Watanabe , Kazuhiko Yamamoto , Ichiro Mizushima , Yoshio Ozawa
- 申请人： Shinichi Nakao , Kei Watanabe , Kazuhiko Yamamoto , Ichiro Mizushima , Yoshio Ozawa
- 申请人地址： JP Tokyo
- 专利权人： Kabushiki Kaisha Toshiba
- 当前专利权人： Kabushiki Kaisha Toshiba
- 当前专利权人地址： JP Tokyo
- 优先权： JP2010-248375 20101105; JP2011-206467 20110921
- 主分类号： H01L47/00
- IPC分类号： H01L47/00 ; H01L21/02 ; B82Y99/00 ; B82Y40/00
摘要：
According to one embodiment, a memory device includes a nanomaterial aggregate layer of a plurality of fine conductors aggregating via gaps and an insulating material disposed in the gaps.
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