Methods of Forming Metal Patterns in Openings in Semiconductor Devices

发明申请

US20120164826A1 Methods of Forming Metal Patterns in Openings in Semiconductor Devices 有权

标题翻译：在半导体器件中形成金属图案的方法

请登陆查看更多内容

专利标题： Methods of Forming Metal Patterns in Openings in Semiconductor Devices
专利标题（中）： 在半导体器件中形成金属图案的方法
申请号： US13411873

申请日： 2012-03-05
公开(公告)号： US20120164826A1

公开(公告)日： 2012-06-28
发明人: Tsukasa Matsuda , Gilheyun Choi , Jongmyeong Lee
申请人： Tsukasa Matsuda , Gilheyun Choi , Jongmyeong Lee
优先权： KR10-2009-0018132 20090303
主分类号： H01L21/768
IPC分类号： H01L21/768

Methods of Forming Metal Patterns in Openings in Semiconductor Devices

摘要：

A method of forming a semiconductor device is disclosed. A dielectric layer having a opening therein is formed on a semiconductor substrate. An inner surface of the opening is treated by plasma. A barrier metal layer is formed on the plasma-treated inner surface of the opening. A seed layer is formed on the barrier metal layer. A metal bulk layer is formed on the seed layer. High quality semiconductor devices can be fabricated by using these methods, which may stably fill the opening formed in the dielectric layer.

摘要（中）：

公开了一种形成半导体器件的方法。其中具有开口的电介质层形成在半导体衬底上。开口的内表面用等离子体处理。在等离子体处理的开口的内表面上形成阻挡金属层。在阻挡金属层上形成种子层。在种子层上形成金属体层。可以通过使用这些方法来制造高质量的半导体器件，这些方法可以稳定地填充形成在电介质层中的开口。

公开/授权文献

US08258058B2 Methods of forming metal patterns in openings in semiconductor devices 公开/授权日：2012-09-04

信息查询

Global Dossier Espacenet

IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70	.由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造（由预制电组件组成的组装件的制造入H05K3/00，H05K13/00）
H01L21/71	..限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造（H01L21/28，H01L21/44，H01L21/48优先）
H01L21/768	...利用互连在器件中的分离元件间传输电流