SEMICONDUCTOR DEVICE, POLYCRYSTALLINE SEMICONDUCTOR THIN FILM, PROCESS FOR PRODUCING POLYCRYSTALLINE SEMICONDUCTOR THIN FILM, FIELD EFFECT TRANSISTOR, AND PROCESS FOR PRODUCING FIELD EFFECT TRANSISTOR

发明申请

US20120168748A1 SEMICONDUCTOR DEVICE, POLYCRYSTALLINE SEMICONDUCTOR THIN FILM, PROCESS FOR PRODUCING POLYCRYSTALLINE SEMICONDUCTOR THIN FILM, FIELD EFFECT TRANSISTOR, AND PROCESS FOR PRODUCING FIELD EFFECT TRANSISTOR 有权

标题翻译：半导体器件，多晶半导体薄膜，用于生产多晶半导体薄膜的工艺，场效应晶体管和用于产生场效应晶体管的工艺

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专利标题： SEMICONDUCTOR DEVICE, POLYCRYSTALLINE SEMICONDUCTOR THIN FILM, PROCESS FOR PRODUCING POLYCRYSTALLINE SEMICONDUCTOR THIN FILM, FIELD EFFECT TRANSISTOR, AND PROCESS FOR PRODUCING FIELD EFFECT TRANSISTOR
专利标题（中）： 半导体器件，多晶半导体薄膜，用于生产多晶半导体薄膜的工艺，场效应晶体管和用于产生场效应晶体管的工艺
申请号： US13416433

申请日： 2012-03-09
公开(公告)号： US20120168748A1

公开(公告)日： 2012-07-05
发明人: Koki Yano , Kazuyoshi Inoue
申请人： Koki Yano , Kazuyoshi Inoue
申请人地址： JP Tokyo
专利权人： IDEMITSU KOSAN CO., LTD.
当前专利权人： IDEMITSU KOSAN CO., LTD.
当前专利权人地址： JP Tokyo
优先权： JP2007-076811 20070323; JP2007-078997 20070326
主分类号： H01L29/786
IPC分类号： H01L29/786 ; H01L29/26

SEMICONDUCTOR DEVICE, POLYCRYSTALLINE SEMICONDUCTOR THIN FILM, PROCESS FOR PRODUCING POLYCRYSTALLINE SEMICONDUCTOR THIN FILM, FIELD EFFECT TRANSISTOR, AND PROCESS FOR PRODUCING FIELD EFFECT TRANSISTOR

摘要：

An object of the present invention is to provide a novel semiconductor device which is excellent in stability, uniformity, reproducibility, heat resistance, durability and the like, and can exert excellent transistor properties. The semiconductor device is a thin-film transistor, and this thin-film transistor uses, as an active layer, a polycrystalline oxide semiconductor thin film containing In and two or more metals other than In and having an electron carrier concentration of less than 1×1018/cm3.

摘要（中）：

本发明的目的是提供一种稳定性，均匀性，再现性，耐热性，耐久性等优异的新颖的半导体装置，能够发挥优异的晶体管特性。该半导体器件是薄膜晶体管，该薄膜晶体管使用含有In和In以外的两种以上的金属且电子载流子浓度小于1×的多晶氧化物半导体薄膜作为有源层 1018 / cm3。

公开/授权文献

US08779419B2 Semiconductor device, polycrystalline semiconductor thin film, process for producing polycrystalline semiconductor thin film, field effect transistor, and process for producing field effect transistor 公开/授权日：2014-07-15

信息查询

Global Dossier Espacenet

IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L29/00	专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L31/00至H01L47/00，H01L51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L27/00）
H01L29/66	.按半导体器件的类型区分的
H01L29/68	..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的（H01L29/96优先）
H01L29/76	...单极器件
H01L29/772	....场效应晶体管
H01L29/78	.....由绝缘栅产生场效应的
H01L29/786	......薄膜晶体管