发明申请
US20120211163A1 PLASMA PROCESSING APPARATUS INCLUDING ETCHING PROCESSING APPARATUS AND ASHING PROCESSING APPARATUS AND PLASMA PROCESSING METHOD USING PLASMA PROCESSING APPARATUS
失效
等离子体处理装置，其中包括蚀刻加工装置和使用等离子体加工装置的匀浆加工装置和等离子体处理方法
- 专利标题： PLASMA PROCESSING APPARATUS INCLUDING ETCHING PROCESSING APPARATUS AND ASHING PROCESSING APPARATUS AND PLASMA PROCESSING METHOD USING PLASMA PROCESSING APPARATUS
- 专利标题（中）： 等离子体处理装置，其中包括蚀刻加工装置和使用等离子体加工装置的匀浆加工装置和等离子体处理方法
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申请号： US13457082申请日： 2012-04-26
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公开(公告)号： US20120211163A1公开(公告)日： 2012-08-23
- 发明人: Hiroyuki KOBAYASHI , Masaru Izawa
- 申请人： Hiroyuki KOBAYASHI , Masaru Izawa
- 申请人地址： JP Tokyo
- 专利权人： Hitachi High-Technologies Corporation
- 当前专利权人： Hitachi High-Technologies Corporation
- 当前专利权人地址： JP Tokyo
- 优先权： JP2005-217538 20050727
- 主分类号： C23F1/08
- IPC分类号： C23F1/08
摘要：
A diameter of a mounting unit of the stage of an ashing processing apparatus is less than a diameter of a mounting unit of the stage of an etching processing apparatus, and the diameter of the mounting unit of the stage of the etching processing apparatus is less than a diameter of an objective item.
公开/授权文献
- US08491751B2 Plasma processing apparatus 公开/授权日：2013-07-23
信息查询
IPC分类:
