CHEMICAL MECHANICAL POLISHING SLURRY, SYSTEM AND METHOD

发明申请

US20120264303A1 CHEMICAL MECHANICAL POLISHING SLURRY, SYSTEM AND METHOD 审中-公开

标题翻译：化学机械抛光浆，系统和方法

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专利标题： CHEMICAL MECHANICAL POLISHING SLURRY, SYSTEM AND METHOD
专利标题（中）： 化学机械抛光浆，系统和方法
申请号： US13087565

申请日： 2011-04-15
公开(公告)号： US20120264303A1

公开(公告)日： 2012-10-18
发明人: Kei-Wei CHEN , Kuo-Hsiu WEI , Shih-Chieh CHANG , Ying-Lang WANG
申请人： Kei-Wei CHEN , Kuo-Hsiu WEI , Shih-Chieh CHANG , Ying-Lang WANG
申请人地址： TW Hsin-chu
专利权人： TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
当前专利权人： TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
当前专利权人地址： TW Hsin-chu
主分类号： H01L21/306
IPC分类号： H01L21/306 ; B24D11/00 ; C09K13/00

CHEMICAL MECHANICAL POLISHING SLURRY, SYSTEM AND METHOD

摘要：

A metal polishing slurry includes a chemical solution and abrasives characterized by a bimodal or other multimodal distribution of particle sizes or a prevalence of two or more particle sizes or ranges of particle sizes. A method and system for using the slurry in a CMP polishing operation, are also provided.

摘要（中）：

金属抛光浆料包括化学溶液和研磨剂，其特征在于具有双峰或其它多峰分布的颗粒尺寸或具有两种或更多种粒径或颗粒尺寸范围的流行性。还提供了在CMP抛光操作中使用该浆料的方法和系统。

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04	..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18	...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30	....用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L21/28）
H01L21/302	.....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/306	......化学或电处理，例如电解腐蚀（形成绝缘层的入H01L21/31；绝缘层的后处理入H01L21/3105）