发明申请
- 专利标题： Semiconductor Device and Method for Manufacturing a Semiconductor
- 专利标题（中）： 半导体装置及制造半导体的方法
-
申请号： US13194721申请日： 2011-07-29
-
公开(公告)号： US20130026601A1公开(公告)日： 2013-01-31
- 发明人: Gabriele Bettineschi , Uwe Seidel , Wolfgang Walter , Michael Schrenk , Hubert Werthmann
- 申请人： Gabriele Bettineschi , Uwe Seidel , Wolfgang Walter , Michael Schrenk , Hubert Werthmann
- 申请人地址： DE Neubiberg
- 专利权人： Infineon Technologies AG
- 当前专利权人： Infineon Technologies AG
- 当前专利权人地址： DE Neubiberg
- 主分类号： H01L23/525
- IPC分类号： H01L23/525 ; H01L21/82
摘要：
A semiconductor device comprises a semiconductor substrate, an anorganic isolation layer on the semiconductor substrate and a metallization layer on the anorganic isolation layer. The metallization layer comprises a fuse structure. At least in an area of the fuse structure the metallization layer and the anorganic isolation layer have a common interface.
公开/授权文献
信息查询
IPC分类:
