发明申请
- 专利标题： PHOTODIODE
- 专利标题（中）： 光电
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申请号： US13461250申请日： 2012-05-01
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公开(公告)号： US20130105768A1公开(公告)日： 2013-05-02
- 发明人: Dong-Seok LEEM , Kyu Sik KIM , Kyung Bae PARK , Kwang Hee LEE , Seon-Jeong LIM
- 申请人： Dong-Seok LEEM , Kyu Sik KIM , Kyung Bae PARK , Kwang Hee LEE , Seon-Jeong LIM
- 申请人地址： KR Suwon-si
- 专利权人： SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
- 当前专利权人： SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
- 当前专利权人地址： KR Suwon-si
- 优先权： KR1020110112341 20111031
- 主分类号： H01L51/46
- IPC分类号： H01L51/46
摘要：
A photodiode may include an anode, a cathode, a photoelectric conversion layer between the anode and the cathode, and a buffer layer between the photoelectric conversion layer and the anode. The buffer layer may have a dual-layered structure including an organic layer and an inorganic layer.
公开/授权文献
- US08933438B2 Photodiode 公开/授权日：2015-01-13