发明申请
US20130122403A1 MASK FOR EXPOSURE AND METHOD OF FABRICATING SUBSTRATE USING SAID MASK
有权
掩蔽掩蔽和使用合适的掩模制作基板的方法
- 专利标题： MASK FOR EXPOSURE AND METHOD OF FABRICATING SUBSTRATE USING SAID MASK
- 专利标题（中）： 掩蔽掩蔽和使用合适的掩模制作基板的方法
-
申请号： US13471080申请日： 2012-05-14
-
公开(公告)号： US20130122403A1公开(公告)日： 2013-05-16
- 发明人: Bong-Yeon Kim , Min Kang , Jong Kwang Lee , Jin Ho Ju
- 申请人： Bong-Yeon Kim , Min Kang , Jong Kwang Lee , Jin Ho Ju
- 优先权： KR10-2011-0119567 20111116
- 主分类号： G03F7/20
- IPC分类号： G03F7/20 ; G03F1/26
摘要：
Provided is a photolithography mask capable of forming fine patterns beyond a critical resolution of an exposer without replacing or changing the exposer. The mask includes an at least partially light absorbing phase shift layer and uses a complex wavelength light source.
公开/授权文献
信息查询
IPC分类:
