发明申请
- 专利标题： METHOD OF PRODUCING A DEVICE WITH TRANSISTORS STRAINED BY MEANS OF AN EXTERNAL LAYER
- 专利标题（中）： 制造具有由外部层构成的晶体管的器件的方法
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申请号： US13591407申请日： 2012-08-22
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公开(公告)号： US20130214362A1公开(公告)日： 2013-08-22
- 发明人: Fabrice NEMOUCHI , Patrice Gergaud , Thierry Poiroux , Bernard Previtali
- 申请人： Fabrice NEMOUCHI , Patrice Gergaud , Thierry Poiroux , Bernard Previtali
- 申请人地址： FR Paris
- 专利权人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENE ALT
- 当前专利权人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENE ALT
- 当前专利权人地址： FR Paris
- 优先权： FR1157530 20110825
- 主分类号： H01L21/8238
- IPC分类号： H01L21/8238 ; H01L27/092
摘要：
A method of producing a microelectronic device with transistors wherein a strain layer is formed on a series of transistors and the strain exerted on at least one given transistor of said series is released by removing a sacrificial layer situated between said given transistor and said strain layer.
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