发明申请
- 专利标题： SEMICONDUCTOR APPARATUS AND METHOD OF FABRICATING THE SAME
- 专利标题（中）： 半导体装置及其制造方法
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申请号： US13604449申请日： 2012-09-05
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公开(公告)号： US20130241054A1公开(公告)日： 2013-09-19
- 发明人: Chul KIM , Jong Chern LEE
- 申请人： Chul KIM , Jong Chern LEE
- 申请人地址： KR Icheon-si
- 专利权人： SK hynix Inc.
- 当前专利权人： SK hynix Inc.
- 当前专利权人地址： KR Icheon-si
- 优先权： KR10-2011-0146442 20111229
- 主分类号： H01L23/498
- IPC分类号： H01L23/498 ; H01L21/768
摘要：
In a semiconductor apparatus, a plurality of semiconductor chips including through-silicon vias are stacked in a vertical direction, wherein the through-silicon via formed in each semiconductor chip protrudes beyond heights of each semiconductor chip.
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