发明申请
US20140009514A1 P-TYPE OXIDE, P-TYPE OXIDE-PRODUCING COMPOSITION, METHOD FOR PRODUCING P-TYPE OXIDE, SEMICONDUCTOR DEVICE, DISPLAY DEVICE, IMAGE DISPLAY APPARATUS, AND SYSTEM
有权
P型氧化物，P型氧化物生成组合物，生产P型氧化物的方法，半导体器件，显示装置，图像显示装置和系统
- 专利标题： P-TYPE OXIDE, P-TYPE OXIDE-PRODUCING COMPOSITION, METHOD FOR PRODUCING P-TYPE OXIDE, SEMICONDUCTOR DEVICE, DISPLAY DEVICE, IMAGE DISPLAY APPARATUS, AND SYSTEM
- 专利标题（中）： P型氧化物，P型氧化物生成组合物，生产P型氧化物的方法，半导体器件，显示装置，图像显示装置和系统
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申请号： US14007705申请日： 2012-03-28
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公开(公告)号： US20140009514A1公开(公告)日： 2014-01-09
- 发明人: Yukiko Abe , Naoyuki Ueda , Yuki Nakamura , Shinji Matsumoto , Yuji Sone , Mikiko Takada , Ryoichi Saotome
- 申请人： Yukiko Abe , Naoyuki Ueda , Yuki Nakamura , Shinji Matsumoto , Yuji Sone , Mikiko Takada , Ryoichi Saotome
- 优先权： JP2011-080171 20110331; JP2012-045666 20120301
- 国际申请： PCT/JP2012/059131 WO 20120328
- 主分类号： H01L29/24
- IPC分类号： H01L29/24 ; G09G3/32 ; H01L29/04
摘要：
A p-type oxide which is amorphous and is represented by the following compositional formula: xAO.yCu2O where x denotes a proportion by mole of AO and y denotes a proportion by mole of Cu2O and x and y satisfy the following expressions: 0≦x
公开/授权文献
- US09761673B2 Amorphous p-type oxide for a semiconductor device 公开/授权日：2017-09-12
信息查询
IPC分类:
