Wafer Alignment System and Method

发明申请

US20140011348A1 Wafer Alignment System and Method 有权

标题翻译：晶圆对准系统和方法

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专利标题： Wafer Alignment System and Method
专利标题（中）： 晶圆对准系统和方法
申请号： US13544467

申请日： 2012-07-09
公开(公告)号： US20140011348A1

公开(公告)日： 2014-01-09
发明人: Sen-Hong Syue , Chung-Chun Ho , Pu-Fang Chen , Shiang-Bau Wang
申请人： Sen-Hong Syue , Chung-Chun Ho , Pu-Fang Chen , Shiang-Bau Wang
申请人地址： TW Hsin-Chu
专利权人： Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.
当前专利权人： Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.
当前专利权人地址： TW Hsin-Chu
主分类号： H01L21/306
IPC分类号： H01L21/306 ; H01L21/26

摘要：

A system and method for mitigating annealing fingerprints in semiconductor wafers is provided. An embodiment comprises aligning the semiconductor wafers prior to each annealing step. This alignment generates similar or identical fingerprints in each of the semiconductor wafers manufactured. With the fingerprint known, a single compensation model for a subsequent photoresist may be utilized to compensate for the fingerprint in each of the semiconductor wafers.

摘要（中）：

提供了一种减轻半导体晶片退火指纹的系统和方法。一个实施例包括在每个退火步骤之前对准半导体晶片。该对准在制造的每个半导体晶片中产生类似或相同的指纹。利用指纹已知，用于后续光致抗蚀剂的单个补偿模型可用于补偿每个半导体晶片中的指纹。

公开/授权文献

US08932945B2 Wafer alignment system and method 公开/授权日：2015-01-13

信息查询

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04	..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18	...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30	....用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L21/28）
H01L21/302	.....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/306	......化学或电处理，例如电解腐蚀（形成绝缘层的入H01L21/31；绝缘层的后处理入H01L21/3105）