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发明申请
US20140061856A1 SEMICONDUCTOR DEVICE, HIGH-FREQUENCY TRANSMITTER AND SEMICONDUCTOR PRODUCTION METHOD 有权
半导体器件，高频发射器和半导体生产方法

  • 专利标题： SEMICONDUCTOR DEVICE, HIGH-FREQUENCY TRANSMITTER AND SEMICONDUCTOR PRODUCTION METHOD
  • 专利标题（中）： 半导体器件，高频发射器和半导体生产方法
  • 申请号： US14014069
    申请日： 2013-08-29
  • 公开(公告)号： US20140061856A1
    公开(公告)日： 2014-03-06
  • 发明人: Shusuke KAWAI , Toshiya MITOMO , Shigehito SAIGUSA , Tetsuro ITAKURA
  • 申请人： KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
  • 优先权： JP2012-191302 20120831; JP2013-165361 20130808
  • 主分类号： H01L49/02
  • IPC分类号： H01L49/02
SEMICONDUCTOR DEVICE, HIGH-FREQUENCY TRANSMITTER AND SEMICONDUCTOR PRODUCTION METHOD
摘要：
A semiconductor device has a silicon substrate, a shield which is disposed on the silicon substrate and comprises a conductive material, a capacitor electrode disposed on the shield, and at least one pillar member which is provided between the shield and the silicon substrate and comprises a conductive material. The pillar member may be disposed at a location other than a location of the through-hole.
摘要（中）：

半导体器件具有硅衬底，设置在硅衬底上并包括导电材料的屏蔽层，设置在屏蔽上的电容器电极以及设置在屏蔽和硅衬底之间的至少一个柱构件， 导电材料。 柱构件可以设置在除了通孔的位置以外的位置。

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