DOPED GRAPHENE ELECTRONIC MATERIALS

Invention Application

US20140077162A1 DOPED GRAPHENE ELECTRONIC MATERIALS 有权

Title translation: DOPED GRAPHENE电子材料

Patent Title: DOPED GRAPHENE ELECTRONIC MATERIALS
Patent Title (中): DOPED GRAPHENE电子材料
Application No.: US14029899

Application Date: 2013-09-18
Publication No.: US20140077162A1

Publication Date: 2014-03-20
Inventor: Jeffrey A. Bowers , Roderick A. Hyde , Muriel Y. Ishikawa , Jordin T. Kare , Clarence T. Tegreene , Tatsushi Toyokuni , Richard N. Zare
Applicant: Searete LLC
Main IPC: H01L29/167
IPC: H01L29/167 ; H01L29/36 ; H01L29/16

Abstract:

A graphene substrate is doped with one or more functional groups to form an electronic device.

Abstract(Chinese):

石墨烯衬底掺杂有一个或多个官能团以形成电子器件。

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L29/00	专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L31/00至H01L47/00，H01L51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L27/00）
H01L29/02	.按其半导体本体的特征区分的
H01L29/12	..按其构成材料的特征区分的
H01L29/16	...除掺杂材料或其他杂质外，只包括以游离态存在的周期系中Ⅳ族元素的
H01L29/167	....进一步按掺杂材料的特征区分的