NITRIDE SEMICONDUCTOR STRUCTURE

Invention Application

US20140103354A1 NITRIDE SEMICONDUCTOR STRUCTURE 审中-公开

Title translation: 氮化物半导体结构

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Patent Title: NITRIDE SEMICONDUCTOR STRUCTURE
Patent Title (中): 氮化物半导体结构
Application No.: US14049209

Application Date: 2013-10-09
Publication No.: US20140103354A1

Publication Date: 2014-04-17
Inventor: Chih-Wei Hu , Chen-Zi Liao , Yen-Hsiang Fang , Rong Xuan
Applicant: Industrial Technology Research Institute
Applicant Address: TW Hsinchu
Assignee: Industrial Technology Research Institute
Current Assignee: Industrial Technology Research Institute
Current Assignee Address: TW Hsinchu
Priority: TW101137770 20121012
Main IPC: H01L29/205
IPC: H01L29/205

Abstract:

A nitride semiconductor structure including a silicon substrate, a nucleation layer, a buffer layer and a nitride semiconductor layer is provided. The nucleation layer disposed on the silicon substrate includes a cubic silicon carbon nitride (SiCN) layer. The buffer layer is disposed on the nucleation layer. The nitride semiconductor layer is disposed on the buffer layer.

Abstract(Chinese):

提供了包括硅衬底，成核层，缓冲层和氮化物半导体层的氮化物半导体结构。设置在硅衬底上的成核层包括立方氮化硅（SiCN）层。缓冲层设置在成核层上。氮化物半导体层设置在缓冲层上。

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L29/00	专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L31/00至H01L47/00，H01L51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L27/00）
H01L29/02	.按其半导体本体的特征区分的
H01L29/12	..按其构成材料的特征区分的
H01L29/20	...除掺杂材料或其他杂质外，只包括AⅢBⅤ化合物的
H01L29/201	....包括两种或更多种化合物的
H01L29/205	.....在不同半导体区域中的