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Invention Application
US20140120719A1 METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE 审中-公开
制造半导体器件的方法

  • Patent Title: METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE
  • Patent Title (中): 制造半导体器件的方法
  • Application No.: US13812505
    Application Date: 2012-10-12
  • Publication No.: US20140120719A1
    Publication Date: 2014-05-01
  • Inventor: Changliang Qin , Huaxiang Yin
  • Applicant: Changliang Qin , Huaxiang Yin
  • Priority: CN201210283268.1 20120809
  • International Application: PCT/CN12/01380 WO 20121012
  • Main IPC: H01L21/3213
  • IPC: H01L21/3213
METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE
Abstract:
The present invention relates to a method of manufacturing a semiconductor device for improving the spacer mask. In the present invention, a barrier layer and a sacrificial layer are formed, and the portions of the upper part of the spacer whose left and right sides differ greatly are ground away to leave the portion similar to a rectangle at the bottom of the spacer, which is used as the mask to perform the subsequent spacer masking technology. Thus the undesirable influences to the subsequent etching caused by the asymmetric profile of the spacer can be reduced as much as possible.
Abstract(Chinese):

本发明涉及一种制造用于改进间隔掩模的半导体器件的方法。 在本发明中，形成了阻挡层和牺牲层，并且左右两侧的差异较大的间隔物的上部的部分被磨去，使其与垫片底部的长方形相似， 其用作掩模以执行后续间隔物掩蔽技术。 因此，可以尽可能地减少由间隔物的不对称轮廓引起的对随后的蚀刻的不良影响。

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IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04 ..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18 ...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30 ....用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L21/28）
H01L21/31 .....在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的（密封层入H01L21/56）；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
H01L21/3205 ......非绝缘层的沉积，例如绝缘层上的导电层或电阻层；这些层的后处理（电极的制造入H01L21/28）
H01L21/321 .......后处理
H01L21/3213 ........对该层进行物理的或化学的腐蚀，例如由预沉积的外延层产生一个形成图形的层
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