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发明申请
US20140167130A1 EEPROM CORE STRUCTURE EMBEDDED INTO BCD PROCESS AND FORMING METHOD THEREOF 有权
嵌入到BCD工艺中的EEPROM芯结构及其形成方法

  • 专利标题： EEPROM CORE STRUCTURE EMBEDDED INTO BCD PROCESS AND FORMING METHOD THEREOF
  • 专利标题（中）： 嵌入到BCD工艺中的EEPROM芯结构及其形成方法
  • 申请号： US14238057
    申请日： 2012-01-19
  • 公开(公告)号： US20140167130A1
    公开(公告)日： 2014-06-19
  • 发明人: Jianhua Liu
  • 申请人： Jianhua Liu
  • 优先权： CN201110231902.2 20110812; WOCN2012/070571 20120119
  • 国际申请： PCT/CN2012/070571 WO 20120119
  • 主分类号： H01L29/788
  • IPC分类号： H01L29/788 ;  H01L29/66
EEPROM CORE STRUCTURE EMBEDDED INTO BCD PROCESS AND FORMING METHOD THEREOF
摘要：
The present invention provides an EEPROM core structure embedded into BCD process and forming method thereof. The EEPROM core structure embedded into BCD process comprises a selection transistor and a storage transistor connected in series, wherein the selection transistor is an LDNMOS transistor. The present invention may embed the procedure for forming the EEPROM core structure into the BCD process, which is favorable to reduce the complexity of the process.
摘要（中）：

本发明提供嵌入到BCD工艺中的EEPROM芯结构及其形成方法。 嵌入到BCD工艺中的EEPROM内核结构包括串联连接的选择晶体管和存储晶体管，其中选择晶体管是LDNMOS晶体管。 本发明可以将用于形成EEPROM核心结构的过程嵌入到BCD过程中，这有利于降低处理的复杂性。

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IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L29/00 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L31/00至H01L47/00，H01L51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L27/00）
H01L29/66 .按半导体器件的类型区分的
H01L29/68 ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的（H01L29/96优先）
H01L29/76 ...单极器件
H01L29/772 ....场效应晶体管
H01L29/78 .....由绝缘栅产生场效应的
H01L29/788 ......带有浮栅的
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