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发明申请
US20140273432A1 FABRICATING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE 审中-公开
半导体器件制造方法

FABRICATING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE
摘要：
A semiconductor device is fabricated by forming a lower conductor in a first interlayer dielectric film. A second interlayer dielectric film is formed on the lower conductor and the first interlayer dielectric film. A first hard mask pattern is formed on the second interlayer dielectric film. The first mask pattern has a first opening extending in a first direction. A planarization layer is formed on the first hard mask pattern. A mask pattern is formed on the planarization layer. The mask pattern has a second opening extending in a second direction perpendicular to the first direction. The lower conductor is positioned under an region where the first opening and the second opening overlap. A via hole and a trench connected to the via hole is formed using the first hard mask pattern and the mask pattern. The via hole exposes an upper surface of the lower conductor.
摘要（中）：

通过在第一层间电介质膜中形成下导体来制造半导体器件。 第二层间电介质膜形成在下导体和第一层间电介质膜上。 在第二层间电介质膜上形成第一硬掩模图案。 第一掩模图案具有沿第一方向延伸的第一开口。 在第一硬掩模图案上形成平坦化层。 在平坦化层上形成掩模图案。 掩模图案具有沿垂直于第一方向的第二方向延伸的第二开口。 下导体位于第一开口和第二开口重叠的区域的下方。 使用第一硬掩模图案和掩模图案形成通孔和连接到通孔的沟槽。 通孔露出下导体的上表面。

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