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发明申请
US20140299998A1 METHOD FOR MAKING CONTACT WITH A SEMICONDUCTOR AND CONTACT ARRANGEMENT FOR A SEMICONDUCTOR 有权
用于与半导体接触的方法和半导体的接触布置

  • 专利标题： METHOD FOR MAKING CONTACT WITH A SEMICONDUCTOR AND CONTACT ARRANGEMENT FOR A SEMICONDUCTOR
  • 专利标题（中）： 用于与半导体接触的方法和半导体的接触布置
  • 申请号： US14359630
    申请日： 2012-11-20
  • 公开(公告)号： US20140299998A1
    公开(公告)日： 2014-10-09
  • 发明人: Eckart Geinitz , Gerhard Braun , Erik Sueske
  • 申请人： Robert Bosch GmbH
  • 优先权： DE102011086687.6 20111121
  • 国际申请： PCT/EP2012/073074 WO 20121120
  • 主分类号： H01L23/498
  • IPC分类号： H01L23/498 ;  H01L21/768
METHOD FOR MAKING CONTACT WITH A SEMICONDUCTOR AND CONTACT ARRANGEMENT FOR A SEMICONDUCTOR
摘要：
The invention relates to a method for making contact with a semiconductor (10), and to a contact arrangement (1) for a semiconductor (10), wherein the semiconductor (10) is a really connected to a first contact partner (20) at at least one first area by the formation of a first soldering layer (30) having a predefined thickness. According to the invention, a polyimide layer (14) is applied as delimiting means on the semiconductor (10), said polyimide layer predefining the dimensions and/or the form of at least one soldering area (12) of the semiconductor (10).
摘要（中）：

本发明涉及一种用于与半导体（10）接触的方法以及用于半导体（10）的接触装置（1），其中半导体（10）真正连接到第一接触伙伴（20） 至少一个第一区域，通过形成具有预定厚度的第一焊接层（30）。 根据本发明，在半导体（10）上作为限制装置施加聚酰亚胺层（14），所述聚酰亚胺层预先确定半导体（10）的至少一个焊接区域（12）的尺寸和/或形式。

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