中科微点-全球专利检索

  1. Login
  2. Sign Up
Invention Application
US20140374741A1 OXIDE SEMICONDUCTOR, OXIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM, AND THIN FILM TRANSISTOR INCLUDING THE SAME 有权
氧化物半导体，氧化物半导体薄膜和包括其的薄膜晶体管

  • Patent Title: OXIDE SEMICONDUCTOR, OXIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM, AND THIN FILM TRANSISTOR INCLUDING THE SAME
  • Patent Title (中): 氧化物半导体，氧化物半导体薄膜和包括其的薄膜晶体管
  • Application No.: US14096741
    Application Date: 2013-12-04
  • Publication No.: US20140374741A1
    Publication Date: 2014-12-25
  • Inventor: IL-Joon KANG , Young-Mi Cho
  • Applicant: Samsung Display Co., Ltd.
  • Applicant Address: KR Yongin-city
  • Assignee: Samsung Display Co., Ltd.
  • Current Assignee: Samsung Display Co., Ltd.
  • Current Assignee Address: KR Yongin-city
  • Priority: KR10-2013-0071949 20130621
  • Main IPC: H01L29/786
  • IPC: H01L29/786
OXIDE SEMICONDUCTOR, OXIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM, AND THIN FILM TRANSISTOR INCLUDING THE SAME
Abstract:
An oxide semiconductor includes zinc (Zn), tin (Sn), and at least one of Ag and Au.
Abstract(Chinese):

氧化物半导体包括锌（Zn），锡（Sn）以及Ag和Au中的至少一种。

Public/Granted literature
Information query
Global Dossier Espacenet
IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L29/00 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L31/00至H01L47/00，H01L51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L27/00）
H01L29/66 .按半导体器件的类型区分的
H01L29/68 ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的（H01L29/96优先）
H01L29/76 ...单极器件
H01L29/772 ....场效应晶体管
H01L29/78 .....由绝缘栅产生场效应的
H01L29/786 ......薄膜晶体管
Patent Agency Ranking
0/0