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发明申请
US20150102271A1 PROCESS FOR MANUFACTURING COLLOIDAL MATERIALS, COLLOIDAL MATERIALS AND THEIR USES 有权
制造胶体材料，胶体材料及其用途的方法

  • 专利标题： PROCESS FOR MANUFACTURING COLLOIDAL MATERIALS, COLLOIDAL MATERIALS AND THEIR USES
  • 专利标题（中）： 制造胶体材料，胶体材料及其用途的方法
  • 申请号： US14576543
    申请日： 2014-12-19
  • 公开(公告)号： US20150102271A1
    公开(公告)日： 2015-04-16
  • 发明人: Benoit DUBERTRET , Sandrine ITHURRIA
  • 申请人： NEXDOT
  • 优先权： EP09290048.9 20090123
  • 主分类号： H01B1/10
  • IPC分类号： H01B1/10 ;  H01B1/06
PROCESS FOR MANUFACTURING COLLOIDAL MATERIALS, COLLOIDAL MATERIALS AND THEIR USES
摘要：
A colloidal material including semiconductor nanocrystals of formula AnXm, wherein A is selected from group Ib, IIa, IIb, IIIa, IIIb, IVa, IVb, Va, Vb, VIb, VIIb, VIII, IIb, III, IV or mixtures thereof, X is selected from group Va, VIa, VIIa or mixtures thereof, and n and m are independently a decimal number from 0 to 5. The semiconductor nanocrystals have a quasi 2D structure, wherein the smallest dimension is smaller than the other two dimensions by a factor of at least 1.5 and the faces substantially normal to the smallest dimension consist either of A or X. Also, a semiconducting thin film, an optoelectronic device, a laser, a photovoltaic cell, a diode, a light emitting diode or a display including the colloidal material.
摘要（中）：

包含式AnXm的半导体纳米晶体的胶体材料，其中A选自Ib，IIa，IIb，IIIa，IIIb，IVa，IVb，Va，Vb，VIb，VIIb，VIII，IIb，III，IV或其混合物，X 选自Va，VIa，VIIa族或其混合物，n和m独立地为0至5的十进制数。半导体纳米晶体具有准二维结构，其中最小尺寸小于其他二维因子 至少为1.5，并且基本上垂直于最小尺寸的面由A或X组成。此外，半导体薄膜，光电子器件，激光器，光伏电池，二极管，发光二极管或包括 胶体材料。

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