METHODS OF FABRICATING A SEMICONDUCTOR DEVICE

发明申请

US20150104945A1 METHODS OF FABRICATING A SEMICONDUCTOR DEVICE 有权

标题翻译：制造半导体器件的方法

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专利标题： METHODS OF FABRICATING A SEMICONDUCTOR DEVICE
专利标题（中）： 制造半导体器件的方法
申请号： US14328283

申请日： 2014-07-10
公开(公告)号： US20150104945A1

公开(公告)日： 2015-04-16
发明人: Chawon Koh , Cheol Hong Park , Ki-Jeong Kim , Hyunwoo Kim , Hyosung Lee
申请人： Chawon Koh , Cheol Hong Park , Ki-Jeong Kim , Hyunwoo Kim , Hyosung Lee
优先权： KR10-2013-0122112 20131014
主分类号： H01L21/308
IPC分类号： H01L21/308

METHODS OF FABRICATING A SEMICONDUCTOR DEVICE

摘要：

A method for fabricating a semiconductor device is provided. In the method, a first hard mask layer is formed on a stepped structure. The first hard mask layer has a level top surface and thickness sufficient to etch the structure. A second hard mask pattern is formed on the first hard mask layer. The first hard mask layer is etched using the second hard mask pattern. Size dispersion of the patterns may be reduced by the first hard mask layer.

摘要（中）：

提供一种制造半导体器件的方法。在该方法中，在阶梯状结构上形成第一硬掩模层。第一硬掩模层具有足以蚀刻结构的水平顶表面和厚度。在第一硬掩模层上形成第二硬掩模图案。使用第二硬掩模图案蚀刻第一硬掩模层。图案的尺寸分散可以由第一硬掩模层减小。

公开/授权文献

US09564325B2 Methods of fabricating a semiconductor device 公开/授权日：2017-02-07

信息查询

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04	..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18	...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30	....用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L21/28）
H01L21/302	.....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/306	......化学或电处理，例如电解腐蚀（形成绝缘层的入H01L21/31；绝缘层的后处理入H01L21/3105）
H01L21/308	.......应用掩膜的（H01L21/3063，H01L21/3065优先）