发明申请
- 专利标题： SULFUR AND SELENIUM PASSIVATION OF SEMICONDUCTORS
- 专利标题（中）： 硫化物和硒化物钝化半导体
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申请号： US14524615申请日： 2014-10-27
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公开(公告)号： US20150118834A1公开(公告)日： 2015-04-30
- 发明人: Wei-Yip LOH , Robert TIECKELMANN
- 申请人： Sematech, Inc.
- 申请人地址： US NY Albany
- 专利权人： Sematech, Inc.
- 当前专利权人： Sematech, Inc.
- 当前专利权人地址： US NY Albany
- 主分类号： H01L21/225
- IPC分类号： H01L21/225 ; H01L21/324 ; H01L21/02
摘要：
The present invention includes methods directed to improved processes for producing a monolayer of sulfur or selenium on the surface of a semiconductor. As a surface layer, it functions to passivate the surface; if annealed, it provides a doping element.
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