METHOD OF FORMING SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING PROTRUSION TYPE ISOLATION LAYER

发明申请

US20150333151A1 METHOD OF FORMING SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING PROTRUSION TYPE ISOLATION LAYER 审中-公开

标题翻译：形成包含推导型隔离层的半导体器件的方法

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专利标题： METHOD OF FORMING SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING PROTRUSION TYPE ISOLATION LAYER
专利标题（中）： 形成包含推导型隔离层的半导体器件的方法
申请号： US14812873

申请日： 2015-07-29
公开(公告)号： US20150333151A1

公开(公告)日： 2015-11-19
发明人: Dong-hyun KIM , Jai-kyun PARK
申请人： SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
优先权： KR10-2009-0031427 20090410
主分类号： H01L29/66
IPC分类号： H01L29/66 ; H01L27/02 ; H01L21/02 ; H01L21/308 ; H01L21/762 ; H01L21/768 ; H01L27/108

METHOD OF FORMING SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING PROTRUSION TYPE ISOLATION LAYER

摘要：

A semiconductor device may include a semiconductor layer having a convex portion and a concave portion surrounding the convex portion. The semiconductor device may further include a protrusion type isolation layer filling the concave portion and extending upward so that an uppermost surface of the isolation layer is a at level higher that an uppermost surface of the convex portion.

摘要（中）：

半导体器件可以包括具有凸部的半导体层和围绕凸部的凹部。半导体器件还可以包括填充凹部并向上延伸的突起型隔离层，使得隔离层的最上表面比凸部的最上表面高一级。

公开/授权文献

US09741611B2 Method of forming semiconductor device including protrusion type isolation layer 公开/授权日：2017-08-22

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L29/00	专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L31/00至H01L47/00，H01L51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L27/00）
H01L29/66	.按半导体器件的类型区分的