发明申请
- 专利标题： Low Voltage Laser Diodes on Gallium and Nitrogen Containing Substrates
- 专利标题（中）： 低压激光二极管在含镓和氮的基板上
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申请号： US12883652申请日： 2010-09-16
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公开(公告)号： US20160013620A9公开(公告)日： 2016-01-14
- 发明人: James W. Raring , Mathew Schmidt , Christiane Poblenz
- 申请人： James W. Raring , Mathew Schmidt , Christiane Poblenz
- 申请人地址： US CA Goleta
- 专利权人： Kaai, Inc.
- 当前专利权人： Kaai, Inc.
- 当前专利权人地址： US CA Goleta
- 主分类号： H01S5/20
- IPC分类号： H01S5/20 ; H01S5/32 ; H01S5/227 ; H01S5/343 ; H01L29/66 ; B82Y20/00
摘要：
A low voltage laser device having an active region configured for one or more selected wavelengths of light emissions.
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