中科微点-全球专利检索

  1. Login
  2. Sign Up
Invention Application
US20160086860A1 METHODS FOR MAKING ROBUST REPLACEMENT METAL GATES AND MULTI-THRESHOLD DEVICES IN A SOFT MASK INTEGRATION SCHEME 审中-公开
用于在软掩模集成方案中制造可靠的替代金属门和多阈值器件的方法

  • Patent Title: METHODS FOR MAKING ROBUST REPLACEMENT METAL GATES AND MULTI-THRESHOLD DEVICES IN A SOFT MASK INTEGRATION SCHEME
  • Patent Title (中): 用于在软掩模集成方案中制造可靠的替代金属门和多阈值器件的方法
  • Application No.: US14495170
    Application Date: 2014-09-24
  • Publication No.: US20160086860A1
    Publication Date: 2016-03-24
  • Inventor: Balaji Kannan , Rekha Rajaram , Unoh Kwon
  • Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC.
  • Main IPC: H01L21/8238
  • IPC: H01L21/8238
METHODS FOR MAKING ROBUST REPLACEMENT METAL GATES AND MULTI-THRESHOLD DEVICES IN A SOFT MASK INTEGRATION SCHEME
Abstract:
A method of fabricating advanced multi-threshold field effect transistors using a replacement metal gate process. A first method includes thinning layers composed of multilayer film stacks and incorporating a portion of the remaining thinned film in some transistors. A second method includes patterning dopant materials for a high-k dielectric by using thinning layers composed of multilayer thin film stacks, or in other embodiments, by a single thinning layer.
Abstract(Chinese):

使用替代金属栅极工艺制造先进的多阈值场效应晶体管的方法。 第一种方法包括由多层膜叠层组成的薄化层，并将一部分剩余的薄膜结合在一些晶体管中。 第二种方法包括通过使用由多层薄膜叠层组成的薄化层，或在其它实施例中，通过单个变薄层来图案化用于高k电介质的掺杂剂材料。

Public/Granted literature
Information query
Global Dossier Espacenet
IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造（由预制电组件组成的组装件的制造入H05K3/00，H05K13/00）
H01L21/77 ..在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理（电可编程只读存储器或其多步骤的制造方法入H01L27/115）
H01L21/78 ...把衬底连续地分成多个独立的器件（改变表面物理特性或者半导体形状的切割入H01L21/304）
H01L21/82 ....制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822 .....衬底是采用硅工艺的半导体的（H01L21/8258优先）
H01L21/8232 ......场效应工艺
H01L21/8234 .......MIS工艺
H01L21/8238 ........互补场效应晶体管，例如CMOS
Patent Agency Ranking
0/0