利索-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册
发明申请
US20160204278A1 SELF-ALIGNED METAL OXIDE TFT WITH REDUCED NUMBER OF MASKS AND WITH REDUCED POWER CONSUMPTION 有权
自对准金属氧化物膜，具有减少数量的掩模和降低功耗

  • 专利标题： SELF-ALIGNED METAL OXIDE TFT WITH REDUCED NUMBER OF MASKS AND WITH REDUCED POWER CONSUMPTION
  • 专利标题（中）： 自对准金属氧化物膜，具有减少数量的掩模和降低功耗
  • 申请号： US15080231
    申请日： 2016-03-24
  • 公开(公告)号： US20160204278A1
    公开(公告)日： 2016-07-14
  • 发明人: Chan-Long Shieh , Gang Yu , Fatt Foong
  • 申请人： Chan-Long Shieh , Gang Yu , Fatt Foong
  • 主分类号： H01L29/786
  • IPC分类号： H01L29/786 ;  H01L27/12
SELF-ALIGNED METAL OXIDE TFT WITH REDUCED NUMBER OF MASKS AND WITH REDUCED POWER CONSUMPTION
摘要：
A method of fabricating MO TFTs includes positioning opaque gate metal on a transparent substrate to define a gate area. Depositing gate dielectric material overlying the gate metal and a surrounding area, and depositing metal oxide semiconductor material thereon. Depositing etch stop material on the semiconductor material. Positioning photoresist defining an isolation area in the semiconductor material, the etch stop material and the photoresist being selectively removable. Exposing the photoresist from the rear surface of the substrate and removing exposed portions to leave the etch stop material uncovered except for a portion overlying and aligned with the gate metal. Etching uncovered portions of the semiconductor material to isolate the TFT. Using the photoresist, selectively etching the etch stop layer to leave a portion overlying and aligned with the gate metal and defining a channel area in the semiconductor material. Depositing and patterning conductive material to form source and drain areas.
摘要（中）：

一种制造MO TFT的方法包括将不透明栅极金属定位在透明基板上以限定栅极区域。 覆盖栅极金属和周围区域的沉积栅介质材料，以及在其上沉积金属氧化物半导体材料。 在半导体材料上沉积蚀刻停止材料。 定义在半导体材料中限定隔离区域的光致抗蚀剂，蚀刻停止材料和光致抗蚀剂可选择性地移除。 从基板的后表面露出光致抗蚀剂，除去暴露的部分以使蚀刻停止材料未被覆盖，除了覆盖并与栅极金属对准的部分之外。 蚀刻半导体材料的未覆盖部分以隔离TFT。 使用光致抗蚀剂，选择性地蚀刻蚀刻停止层以留下覆盖并与栅极金属对准的部分并限定半导体材料中的沟道区域。 沉积和图案化导电材料以形成源区和漏区。

公开/授权文献
信息查询
Global Dossier Espacenet
IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L29/00 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L31/00至H01L47/00，H01L51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L27/00）
H01L29/66 .按半导体器件的类型区分的
H01L29/68 ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的（H01L29/96优先）
H01L29/76 ...单极器件
H01L29/772 ....场效应晶体管
H01L29/78 .....由绝缘栅产生场效应的
H01L29/786 ......薄膜晶体管
0/0