- 专利标题： ULTRA-LOW TEMPERATURE ALD TO FORM HIGH-QUALITY SI-CONTAINING FILM
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申请号： US16718369申请日： 2019-12-18
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公开(公告)号： US20200373148A1公开(公告)日： 2020-11-26
- 发明人: Naoto NODA , Ivan OSHCHEPKOV , Jean-Marc GIRARD
- 申请人： L'Air Liquide, Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude
- 主分类号： H01L21/02
- IPC分类号： H01L21/02 ; C23C16/455 ; C23C16/34 ; C23C16/30
摘要：
Disclosed is a method for forming Si-containing films, such as SiN film, by PEALD using trisilylamine (TSA) at ultralow temperature, such as a temperature below 250° C.
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