- 专利标题： Sputtering Target, Manufacturing Method Therefor, And Manufacturing Method For Magnetic Recording Medium
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申请号： US18016812申请日： 2021-07-28
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公开(公告)号： US20230272521A1公开(公告)日： 2023-08-31
- 发明人: Yasuyuki Iwabuchi
- 申请人： JX Nippon Mining & Metals Corporation
- 申请人地址： JP Minato-ku, Tokyo
- 专利权人： JX Nippon Mining & Metals Corporation
- 当前专利权人： JX Nippon Mining & Metals Corporation
- 当前专利权人地址： JP Minato-ku, Tokyo
- 优先权： JP 20148519 2020.09.03
- 国际申请： PCT/JP2021/027940 2021.07.28
- 进入国家日期： 2023-01-18
- 主分类号： C23C14/34
- IPC分类号： C23C14/34 ; C23C14/06 ; C04B35/58 ; C04B35/64 ; H01J37/34 ; G11B5/851
摘要：
A sputtering target containing silicon nitride (Si3N4) with reduced specific resistance of is provided. A sputtering target including Si3N4, SiC, MgO and TiCN, wherein a specific resistance of the sputtering target is 10 mΩ·cm or less.
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