METHOD OF PREPARING SINGLE CRYSTAL PEROVSKITE ON FLEXIBLE SUBSTRATE

发明公开

US20230366121A1 METHOD OF PREPARING SINGLE CRYSTAL PEROVSKITE ON FLEXIBLE SUBSTRATE 审中-公开

摘要：

The present disclosure relates to a method of preparing a single crystal perovskite on a flexible substrate.

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IPC分类:

C	化学；冶金
C30	晶体生长
C30B	单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置
C30B7/00	常温液态溶剂之溶液，例如水溶液的单晶生长（用熔融溶剂的入C30B9/00）；用正常凝固法或温度梯度凝固法的入C30B11/00；在保护流体下的入C30B27/00）
C30B7/02	.溶剂蒸发法
C30B7/06	..用非水溶剂的