发明公开
- 专利标题： LITHIUM PRECURSORS FOR DEPOSITION OF LITHIUM-CONTAINING LAYERS, ISLETS OR CLUSTERS
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申请号： US17767771申请日： 2020-10-08
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公开(公告)号： US20240102161A1公开(公告)日： 2024-03-28
- 发明人: Christian DUSSARRAT , Keishi YAMAMOTO , Nicolas BLASCO , Sunao KAMIMURA
- 申请人： L'Air Liquide, Société Anonyme pour I'Etude et I'Exploitation des Procédés Georges Claude
- 申请人地址： FR Paris
- 专利权人： L'Air Liquide, Société Anonyme pour I'Etude et I'Exploitation des Procédés Georges Claude
- 当前专利权人： L'Air Liquide, Société Anonyme pour I'Etude et I'Exploitation des Procédés Georges Claude
- 当前专利权人地址： FR Paris
- 国际申请： PCT/US2020/054720 2020.10.08
- 进入国家日期： 2022-04-08
- 主分类号： C23C16/455
- IPC分类号： C23C16/455 ; C07F1/02 ; C23C16/30
摘要：
Methods for forming a Li-containing film, islet or cluster on a substrate comprise the steps of introducing a vapor of a silicon-free lithium precursor into a reactor and depositing at least part of the silicon-free lithium precursor onto the substrate to form the Li-containing film, islet or cluster using a vapor deposition method.
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